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SSW7N60BTM

SSW7N60BTM

SSW7N60BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

SSW7N60BTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
697 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

GPIHV30DFN
GPIHV30DFN
$0 $/pedaço
IRFBC40APBF-BE3
BSH103BKR
BSH103BKR
$0 $/pedaço
IRLS3036TRLPBF
FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7
$0 $/pedaço
MTB4N40ET4
MTB4N40ET4
$0 $/pedaço
STP18N60DM2
STP18N60DM2
$0 $/pedaço

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