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FQB55N10TM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

não conforme

FQB55N10TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.41508 $1132.064
1,600 $1.29865 -
2,400 $1.20909 -
5,600 $1.16431 -
1387 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 55A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 26mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2730 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 155W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STF33N60DM6
STF33N60DM6
$0 $/pedaço
SQS164ELNW-T1_GE3
NVMFS5C423NLAFT1G
NVMFS5C423NLAFT1G
$0 $/pedaço
IPA60R1K0CEXKSA1
IXFT50N85XHV
IXFT50N85XHV
$0 $/pedaço
FDMS8020
FDMS8020
$0 $/pedaço
EMH1307-TL-H
EMH1307-TL-H
$0 $/pedaço
BUK9E04-30B,127
BUK9E04-30B,127
$0 $/pedaço
FCPF380N60E-F154
FCPF380N60E-F154
$0 $/pedaço
APT31M100L
APT31M100L
$0 $/pedaço

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