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IPA60R1K0CEXKSA1

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IPA60R1K0CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220

não conforme

IPA60R1K0CEXKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $0.52756 $263.78
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 130µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 280 pF @ 100 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 26W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

IXFT50N85XHV
IXFT50N85XHV
$0 $/pedaço
FDMS8020
FDMS8020
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EMH1307-TL-H
EMH1307-TL-H
$0 $/pedaço
BUK9E04-30B,127
BUK9E04-30B,127
$0 $/pedaço
FCPF380N60E-F154
FCPF380N60E-F154
$0 $/pedaço
APT31M100L
APT31M100L
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DMT15H017LPSW-13
FDD7N60NZTM
FDD7N60NZTM
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