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FQB30N06LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

não conforme

FQB30N06LTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $0.77694 $621.552
1,600 $0.70557 -
2,400 $0.66097 -
5,600 $0.62974 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1040 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 79W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFH8201TRPBF
SIHB120N60E-T5-GE3
SIHK185N60E-T1-GE3
PMF250XNEX
PMF250XNEX
$0 $/pedaço
AUIRFR2905ZTRL
PMPB29XPEAX
PMPB29XPEAX
$0 $/pedaço
DMN2004K-7
DMN2004K-7
$0 $/pedaço
APT10M09LVFRG
R6030KNX
R6030KNX
$0 $/pedaço

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