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SIHB120N60E-T5-GE3

SIHB120N60E-T5-GE3

SIHB120N60E-T5-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

não conforme

SIHB120N60E-T5-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.49000 $5.49
500 $5.4351 $2717.55
1000 $5.3802 $5380.2
1500 $5.3253 $7987.95
2000 $5.2704 $10540.8
2500 $5.2155 $13038.75
800 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1562 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 179W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHK185N60E-T1-GE3
PMF250XNEX
PMF250XNEX
$0 $/pedaço
AUIRFR2905ZTRL
PMPB29XPEAX
PMPB29XPEAX
$0 $/pedaço
DMN2004K-7
DMN2004K-7
$0 $/pedaço
APT10M09LVFRG
R6030KNX
R6030KNX
$0 $/pedaço

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