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FQB13N06TM

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

não conforme

FQB13N06TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 135mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 310 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRL510STRR
IRL510STRR
$0 $/pedaço
AUIRFS3806TRL
STW22NM60N
STW22NM60N
$0 $/pedaço
IRF737LCL
IRF737LCL
$0 $/pedaço
IXFK52N30Q
IXFK52N30Q
$0 $/pedaço
IRL2203NPBF-INF
IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3

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