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IRL2203NPBF-INF

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HEXFET POWER MOSFET

não conforme

IRL2203NPBF-INF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 116A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3290 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 180W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3
IXTV230N085TS
IXTV230N085TS
$0 $/pedaço
IRF7700TR
IRF7700TR
$0 $/pedaço
IRF6616TR1PBF
ZVN3310ASTOB
STP8NM60FP
STP8NM60FP
$0 $/pedaço
IRF530S
IRF530S
$0 $/pedaço

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