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FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

onsemi

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

compliant

FDN5632N-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.16709 -
6,000 $0.15631 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 82mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 475 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

HUF76143P3
STD60NF55LAT4
RQ5E065AJTCL
RQ5E065AJTCL
$0 $/pedaço
IRFP4332PBF
FDB8030L
DMN2024UQ-7
DMN2024UQ-7
$0 $/pedaço
IPD090N03LGBTMA1
NTD4904NT4G
NTD4904NT4G
$0 $/pedaço
ZVP2110ASTZ
ZVP2110ASTZ
$0 $/pedaço

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