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FDB8030L

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80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,

não conforme

FDB8030L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.30000 $3.3
500 $3.267 $1633.5
1000 $3.234 $3234
1500 $3.201 $4801.5
2000 $3.168 $6336
2500 $3.135 $7837.5
1779 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 170 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 187W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMN2024UQ-7
DMN2024UQ-7
$0 $/pedaço
IPD090N03LGBTMA1
NTD4904NT4G
NTD4904NT4G
$0 $/pedaço
ZVP2110ASTZ
ZVP2110ASTZ
$0 $/pedaço
STP80NF55-06
STP80NF55-06
$0 $/pedaço
STWA48N60DM2
STWA48N60DM2
$0 $/pedaço
IXFK140N25T
IXFK140N25T
$0 $/pedaço
SQA700CEJW-T1_GE3
RF4G060ATTCR
RF4G060ATTCR
$0 $/pedaço
FDD6692
FDD6692
$0 $/pedaço

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