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FDN5630

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

FDN5630 Ficha de dados

compliant

FDN5630 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.15652 -
6,000 $0.14642 -
15,000 $0.13632 -
30,000 $0.12925 -
75,000 $0.12852 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 400 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

STO33N60M6
STO33N60M6
$0 $/pedaço
IRF2807ZPBF
FDI8442
FDI8442
$0 $/pedaço
IRFHS8342TRPBF
IXTQ50N20P
IXTQ50N20P
$0 $/pedaço
SIHP7N60E-E3
SIHP7N60E-E3
$0 $/pedaço
SQM50034EL_GE3
SQM50034EL_GE3
$0 $/pedaço
DMTH10H005LCT
IRF9530SPBF
IRF9530SPBF
$0 $/pedaço
IPB60R060P7ATMA1

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