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SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

compliant

SIHP7N60E-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.07663 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SQM50034EL_GE3
SQM50034EL_GE3
$0 $/pedaço
DMTH10H005LCT
IRF9530SPBF
IRF9530SPBF
$0 $/pedaço
IPB60R060P7ATMA1
NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1G
$0 $/pedaço
STP10P6F6
STP10P6F6
$0 $/pedaço
IRFB3206GPBF
SI3443BDV-T1-E3
NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G
$0 $/pedaço

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