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FDN028N20

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3

não conforme

FDN028N20 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.15925 -
6,000 $0.14897 -
15,000 $0.13870 -
30,000 $0.13151 -
75,000 $0.13076 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

R6020JNJGTL
R6020JNJGTL
$0 $/pedaço
SQJ460AEP-T1_BE3
STP80NF10FP
STP80NF10FP
$0 $/pedaço
IRFR4104TRLPBF
IRF7853TRPBF
DMN3731UFB4-7B
FDB8880
FDB8880
$0 $/pedaço
NTE490
NTE490
$0 $/pedaço
RM11N800T2
RM11N800T2
$0 $/pedaço

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