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FDB8880

FDB8880

FDB8880

11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,

FDB8880 Ficha de dados

compliant

FDB8880 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
1356 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta), 54A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1240 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 55W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTE490
NTE490
$0 $/pedaço
RM11N800T2
RM11N800T2
$0 $/pedaço
IPB026N06NATMA1
SPD04P10PLGBTMA1
IXTA160N10T
IXTA160N10T
$0 $/pedaço
P3M12040G7
NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1
$0 $/pedaço
SIHD240N60E-GE3

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