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FDD86567-F085

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FDD86567-F085

onsemi

MOSFET N-CH 60V 100A DPAK

não conforme

FDD86567-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.70840 -
5,000 $0.67298 -
12,500 $0.64768 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4950 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDN86265P
FDN86265P
$0 $/pedaço
FQA16N50
SQ2361AEES-T1_GE3
SI4435DDY-T1-E3
IXFB44N100Q3
IXFB44N100Q3
$0 $/pedaço
IRFR420ATRLPBF
IRFR420ATRLPBF
$0 $/pedaço
FDB6670S
PXN017-30QLJ
PXN017-30QLJ
$0 $/pedaço

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