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FDB6670S

FDB6670S

FDB6670S

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FDB6670S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.49000 $2.49
500 $2.4651 $1232.55
1000 $2.4402 $2440.2
1500 $2.4153 $3622.95
2000 $2.3904 $4780.8
2500 $2.3655 $5913.75
19090 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 62A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm@ 31A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2639 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

PXN017-30QLJ
PXN017-30QLJ
$0 $/pedaço
APT6025BLLG
PMPB95ENEAX
PMPB95ENEAX
$0 $/pedaço
IPI90R1K2C3XKSA1
EPC2302
EPC2302
$0 $/pedaço
SQD45P03-12_GE3
DMP2066LSS-13
IRFP150
IRFP150
$0 $/pedaço

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