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FDC8886

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

FDC8886 Ficha de dados

compliant

FDC8886 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.17050 -
6,000 $0.15950 -
15,000 $0.14850 -
30,000 $0.14080 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.5A (Ta), 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 465 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

PHT6N06T,135
PHT6N06T,135
$0 $/pedaço
IXKK85N60C
IXKK85N60C
$0 $/pedaço
FQP2N50
FQP2N50
$0 $/pedaço
BUK7Y3R5-40HX
BUK7Y3R5-40HX
$0 $/pedaço
NTBV45N06T4G
NTBV45N06T4G
$0 $/pedaço
DMG2301U-7
DMG2301U-7
$0 $/pedaço
NTLJS4159NT1G
NTLJS4159NT1G
$0 $/pedaço
IPP80R750P7XKSA1

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