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NTLJS4159NT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN

não conforme

NTLJS4159NT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1045 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-WDFN (2x2)
pacote / caixa 6-WDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

IPP80R750P7XKSA1
IXFA44N25X3
IXFA44N25X3
$0 $/pedaço
FDD86250
FDD86250
$0 $/pedaço
IRLD120PBF
IRLD120PBF
$0 $/pedaço
SCTWA35N65G2V
DMT64M8LSS-13
APT10035B2FLLG
IRFP4229PBF
FDP12N50NZ
FDP12N50NZ
$0 $/pedaço

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