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FDC653N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6

FDC653N Ficha de dados

compliant

FDC653N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25524 -
6,000 $0.23877 -
15,000 $0.22230 -
30,000 $0.21078 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

NVMFS5C628NLAFT3G
NVMFS5C628NLAFT3G
$0 $/pedaço
IRFR540ZTRPBF
PSMN3R9-25MLC,115
DMT68M8LSS-13
FCB20N60F-F085
FCB20N60F-F085
$0 $/pedaço
STB34N50DM2AG
IRFU014PBF
IRFU014PBF
$0 $/pedaço
SPW24N60CFDFKSA1

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