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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Not For New Designs |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 21.7A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 185mOhm @ 15.4A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 5V @ 1.2mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 143 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 3160 pF @ 25 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 240W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Through Hole |
pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO247-3-1 |
pacote / caixa | TO-247-3 |
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