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FDC637AN

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

SOT-23

não conforme

FDC637AN Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.26142 -
6,000 $0.24339 -
15,000 $0.23438 -
30,000 $0.22946 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1125 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

NDP7050L
IRLR3105TRPBF
CSD18542KTT
CSD18542KTT
$0 $/pedaço
STF21NM60ND
STF21NM60ND
$0 $/pedaço
IRLI530GPBF
IRLI530GPBF
$0 $/pedaço
DMN2053UW-7
DMN2053UW-7
$0 $/pedaço
SI7820DN-T1-GE3
IRLR024NTRLPBF
IXTT220N20X4HV
IXTT220N20X4HV
$0 $/pedaço

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