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SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

não conforme

SI7820DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.67601 -
6,000 $0.64427 -
15,000 $0.62160 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 240mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IRLR024NTRLPBF
IXTT220N20X4HV
IXTT220N20X4HV
$0 $/pedaço
MCH6321-TL-W
MCH6321-TL-W
$0 $/pedaço
IXFB62N80Q3
IXFB62N80Q3
$0 $/pedaço
STD3NK90ZT4
STD3NK90ZT4
$0 $/pedaço
FDMS7556S
FDMS7556S
$0 $/pedaço
FKI10198
FKI10198
$0 $/pedaço
IPD60R450E6ATMA1

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