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FDC6333C-G

FDC6333C-G

FDC6333C-G

onsemi

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

não conforme

FDC6333C-G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Ta), 2A (Ta)
rds em (máx.) @ id, vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V, 130mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.6nC @ 10V, 5.7nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 282pF @ 15V, 185pF @ 15V
potência - máx. 700mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
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Número da peça relacionada

NTMFD4C820NAT1G
NTMFD4C820NAT1G
$0 $/pedaço
APTM100H80FT1G
GWM100-0085X1-SMD SAM
GWM100-0085X1-SMD SAM
$0 $/pedaço
SIA907EDJ-T1-GE3
SQJ912AEP-T2_GE3
APTM120VDA57T3G

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