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APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

não conforme

APTM100H80FT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 4 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Standard
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000V (1kV)
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A
rds em (máx.) @ id, vgs 960mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3876pF @ 25V
potência - máx. 208W
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote / caixa SP1
pacote de dispositivo do fornecedor SP1
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Número da peça relacionada

GWM100-0085X1-SMD SAM
GWM100-0085X1-SMD SAM
$0 $/pedaço
SIA907EDJ-T1-GE3
SQJ912AEP-T2_GE3
APTM120VDA57T3G
APTM100DUM90G
FMM300-0055P
FMM300-0055P
$0 $/pedaço

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