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FDC610PZ

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onsemi

MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6

compliant

FDC610PZ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.20494 -
6,000 $0.19172 -
15,000 $0.17850 -
30,000 $0.16924 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1005 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

ZXMN6A25KTC
ZXMN6A25KTC
$0 $/pedaço
BUK9M12-60EX
BUK9M12-60EX
$0 $/pedaço
IXTP6N50D2
IXTP6N50D2
$0 $/pedaço
FDN359BN
FDN359BN
$0 $/pedaço
SIR516DP-T1-RE3
RSS060P05HZGTB

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