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FDN359BN

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

compliant

FDN359BN Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.13994 -
6,000 $0.13146 -
15,000 $0.12297 -
30,000 $0.11280 -
75,000 $0.10856 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 650 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

SIR516DP-T1-RE3
RSS060P05HZGTB
NVMFS5C628NLAFT1G
NVMFS5C628NLAFT1G
$0 $/pedaço
STP7N65M2
STP7N65M2
$0 $/pedaço
PSMN2R2-25YLC,115
FDBL0110N60
FDBL0110N60
$0 $/pedaço
SFT1440-TL-E
SFT1440-TL-E
$0 $/pedaço
MTB55N06ZT4
MTB55N06ZT4
$0 $/pedaço
DI050N06D1
DI050N06D1
$0 $/pedaço

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