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FDC5614P

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6

SOT-23

não conforme

FDC5614P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.28519 -
6,000 $0.26552 -
15,000 $0.25568 -
30,000 $0.25032 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 105mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 759 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

IXTQ52P10P
IXTQ52P10P
$0 $/pedaço
NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
$0 $/pedaço
MTP3055VL
MTP3055VL
$0 $/pedaço
IPP60R950C6XKSA1
IPD42DP15LMATMA1
BUK6D22-30EX
BUK6D22-30EX
$0 $/pedaço
FDPF5N50TYDTU
BSH105,235
BSH105,235
$0 $/pedaço

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