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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 500 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 5A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 5V @ 250µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 15 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±30V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 640 pF @ 25 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 28W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Through Hole |
pacote de dispositivo do fornecedor | TO-220F (LG-Formed) |
pacote / caixa | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
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