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FDB86569-F085

FDB86569-F085

FDB86569-F085

onsemi

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

compliant

FDB86569-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $0.95295 $762.36
2 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2520 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 94W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPD78CN10NGATMA1
IPP039N10N5AKSA1
UF3C065080K4S
UF3C065080K4S
$0 $/pedaço
APT53F80J
APT53F80J
$0 $/pedaço
STL100N6LF6
STL100N6LF6
$0 $/pedaço
FCB11N60TM
FCB11N60TM
$0 $/pedaço
SIHG24N65EF-GE3

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