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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | P-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 40 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 60A (Ta) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.1V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 160 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | +10V, -20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 5640 pF @ 10 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 960mW (Ta), 132W (Tc) |
| temperatura de operação | 175°C |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | 8-SOP Advance (5x5) |
| pacote / caixa | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) |
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