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FDB3672-F085

FDB3672-F085

FDB3672-F085

onsemi

MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

SOT-23

não conforme

FDB3672-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.21625 $973
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.2A (Ta), 44A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1710 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 120W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDB8870-F085
IPP60R120C7XKSA1
RQ5P010SNTL
RQ5P010SNTL
$0 $/pedaço
RM21N700T2
RM21N700T2
$0 $/pedaço
FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085
$0 $/pedaço
SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3
SIHP35N60E-BE3
$0 $/pedaço
AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3

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