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SIHP35N60E-BE3

SIHP35N60E-BE3

SIHP35N60E-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

SOT-23

não conforme

SIHP35N60E-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.34000 $6.34
500 $6.2766 $3138.3
1000 $6.2132 $6213.2
1500 $6.1498 $9224.7
2000 $6.0864 $12172.8
2500 $6.023 $15057.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2760 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3
TP2104K1-G
TP2104K1-G
$0 $/pedaço
NTA4153NT1G
NTA4153NT1G
$0 $/pedaço
R6008FNX
R6008FNX
$0 $/pedaço
RS3E075ATTB1
RS3E075ATTB1
$0 $/pedaço
NTP125N65S3H
NTP125N65S3H
$0 $/pedaço
IPS50R520CP
SIR5802DP-T1-RE3

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