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FDB28N30TM

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

não conforme

FDB28N30TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.22879 $983.032
1,600 $1.13266 -
2,400 $1.05872 -
5,600 $1.02174 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 300 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 129mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2250 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

RE1E002SPTCL
RE1E002SPTCL
$0 $/pedaço
PSMN020-30MLCX
P3M06300K3
SQJ872EP-T1_GE3
BUK761R7-40E,118
IRFB7787PBF
STB10N65K3
STB10N65K3
$0 $/pedaço

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