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FCU600N65S3R0

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FCU600N65S3R0

onsemi

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

não conforme

FCU600N65S3R0 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.33000 $1.33
75 $1.06987 $80.24025
150 $0.93993 $140.9895
525 $0.73575 $386.26875
1,050 $0.58725 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 600µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 465 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 54W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

FCH47N60-F085
FCH47N60-F085
$0 $/pedaço
R6509KNJTL
R6509KNJTL
$0 $/pedaço
DMP2021UFDF-13
NX138BKVL
NX138BKVL
$0 $/pedaço
HUF75343S3_NL
RF4E080GNTR
RF4E080GNTR
$0 $/pedaço
IXTA86N20X4
IXTA86N20X4
$0 $/pedaço
SPB80N06S2-08
BUK7E13-60E,127
BUK7E13-60E,127
$0 $/pedaço
NTTFS4C05NTAG
NTTFS4C05NTAG
$0 $/pedaço

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