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BUK7E13-60E,127

BUK7E13-60E,127

BUK7E13-60E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK

não conforme

BUK7E13-60E,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.13000 $1.13
50 $0.90220 $45.11
100 $0.78940 $78.94
500 $0.61216 $306.08
1,000 $0.48329 -
1470 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 58A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22.9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1730 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 96W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I2PAK
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

NTTFS4C05NTAG
NTTFS4C05NTAG
$0 $/pedaço
UJ4C075023B7S
UJ4C075023B7S
$0 $/pedaço
SI7686DP-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3
SUD35N10-26P-GE3
FCH104N60F-F085
FCH104N60F-F085
$0 $/pedaço

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