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FCP9N60N-F102

FCP9N60N-F102

FCP9N60N-F102

onsemi

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO

compliant

FCP9N60N-F102 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.64033 $1312.264
800 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1240 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

SCTH60N120G2-7
IRF9520
IRF9520
$0 $/pedaço
DMN10H099SFG-13
NVTFWS030N06CTAG
NVTFWS030N06CTAG
$0 $/pedaço
UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S
$0 $/pedaço
RFP45N03L
RFP45N03L
$0 $/pedaço
DMT32M4LFG-7
ISZ0602NLSATMA1
IXFP26N65X2
IXFP26N65X2
$0 $/pedaço
DMN2710UWQ-13

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