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DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

compliant

DMN10H099SFG-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.29618 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1172 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 980mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

NVTFWS030N06CTAG
NVTFWS030N06CTAG
$0 $/pedaço
UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S
$0 $/pedaço
RFP45N03L
RFP45N03L
$0 $/pedaço
DMT32M4LFG-7
ISZ0602NLSATMA1
IXFP26N65X2
IXFP26N65X2
$0 $/pedaço
DMN2710UWQ-13
IPS60R1K0CEAKMA1
DMP3013SFK-7
PMN40XPEAX
PMN40XPEAX
$0 $/pedaço

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