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ECH8601M-TL-H-P

ECH8601M-TL-H-P

ECH8601M-TL-H-P

onsemi

MOSFET 2N-CH

não conforme

ECH8601M-TL-H-P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet Logic Level Gate, 2.5V Drive
tensão de dreno para fonte (vdss) 24V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Ta)
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. -
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
pacote de dispositivo do fornecedor 8-ECH
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Número da peça relacionada

PHK31NQ03LT
PHK31NQ03LT
$0 $/pedaço
BSL214NL6327
IRF7756TR
IRF7756TR
$0 $/pedaço
PMWD19UN,518
PMWD19UN,518
$0 $/pedaço
IPI60R380C6
SI4539ADY-T1-GE3
AUIRF7309Q

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