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PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

não conforme

PMWD19UN,518 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.33600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.6A
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 700mV @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1478pF @ 10V
potência - máx. 2.3W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSSOP
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Número da peça relacionada

IPI60R380C6
SI4539ADY-T1-GE3
AUIRF7309Q
MP6M14TCR
MP6M14TCR
$0 $/pedaço
BUK98150-55/CU
SP8K33FRATB
SP8K33FRATB
$0 $/pedaço

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