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2N7002LT1H

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2N7002LT1H

onsemi

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

não conforme

2N7002LT1H Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 115mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 50 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 225mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

BSD214SNH6327
SPP100N03S2L-03
CPH3351-TL-W
CPH3351-TL-W
$0 $/pedaço
IRF3709ZS
IRF3709ZS
$0 $/pedaço
SI3456CDV-T1-E3
STS12N3LLH5
STS12N3LLH5
$0 $/pedaço
IRF7455
IRF7455
$0 $/pedaço
IXFC80N10
IXFC80N10
$0 $/pedaço
SIA850DJ-T1-GE3
IRFIZ48VPBF

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