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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 190 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 950mA (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 1.8V, 4.5V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 1.4V @ 250µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 4.5 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±16V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 90 pF @ 100 V |
| característica fet | Schottky Diode (Isolated) |
| dissipação de potência (máx.) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| pacote / caixa | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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