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2N7002ET3G

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2N7002ET3G

onsemi

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

compliant

2N7002ET3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 260mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.81 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 26.7 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300mW (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

FQB24N08TM
FQB24N08TM
$0 $/pedaço
IXTC72N30T
IXTC72N30T
$0 $/pedaço
PHP45NQ10TA,127
PHP45NQ10TA,127
$0 $/pedaço
NVATS5A302PLZT4G
NVATS5A302PLZT4G
$0 $/pedaço
64-9144
64-9144
$0 $/pedaço
FQB2N90TM
FQB2N90TM
$0 $/pedaço
FQA8N80C_F109
FQA8N80C_F109
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IRF520NL
IRF520NL
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