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FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

onsemi

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P

compliant

FQA8N80C_F109 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2050 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 220W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-3P
pacote / caixa TO-3P-3, SC-65-3
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Número da peça relacionada

IRF520NL
IRF520NL
$0 $/pedaço
APT10043JVR
IRF3707ZSTRL
IRFP31N50L
IRFP31N50L
$0 $/pedaço
IRFBC30AL
IRFBC30AL
$0 $/pedaço
RFP40N10
RFP40N10
$0 $/pedaço
IRLR3636PBF
IRL3715
IRL3715
$0 $/pedaço

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