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BUK9107-40ATC,118

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NXP USA Inc.

BUK9107-40ATC - D2PAK

não conforme

BUK9107-40ATC,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±15V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5836 pF @ 25 V
característica fet Temperature Sensing Diode
dissipação de potência (máx.) 272W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-426
pacote / caixa TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
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Número da peça relacionada

FQA32N20C
IXTA80N10T
IXTA80N10T
$0 $/pedaço
STB20NM60T4
STB20NM60T4
$0 $/pedaço
PSMN0R9-30YLDX
TP0606N3-G
TP0606N3-G
$0 $/pedaço
R6520KNZ4C13
R6520KNZ4C13
$0 $/pedaço
SI7478DP-T1-E3
SI7478DP-T1-E3
$0 $/pedaço
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/pedaço
UF3C065030B3
UF3C065030B3
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