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IXTA80N10T

IXTA80N10T

IXTA80N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

compliant

IXTA80N10T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.88000 $2.88
50 $2.32500 $116.25
100 $2.09250 $209.25
500 $1.62750 $813.75
1,000 $1.34850 -
2,500 $1.30200 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3040 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 230W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STB20NM60T4
STB20NM60T4
$0 $/pedaço
PSMN0R9-30YLDX
TP0606N3-G
TP0606N3-G
$0 $/pedaço
R6520KNZ4C13
R6520KNZ4C13
$0 $/pedaço
SI7478DP-T1-E3
SI7478DP-T1-E3
$0 $/pedaço
RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE
$0 $/pedaço
UF3C065030B3
UF3C065030B3
$0 $/pedaço
BUK9Y3R0-40E,115

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