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BUK754R7-60E,127

BUK754R7-60E,127

BUK754R7-60E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB

não conforme

BUK754R7-60E,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
1957 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6230 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 234W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

BSZ028N04LSATMA1
IXFN30N120P
IXFN30N120P
$0 $/pedaço
FDA28N50F
FDA28N50F
$0 $/pedaço
NTB190N65S3HF
NTB190N65S3HF
$0 $/pedaço
R6020PNJFRATL
SCTH90N65G2V-7
STD5NM60-1
STD5NM60-1
$0 $/pedaço
IRF6619TR1PBF

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