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BSZ028N04LSATMA1

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BSZ028N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON

não conforme

BSZ028N04LSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.52536 -
13173 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2300 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSDSON-8-FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IXFN30N120P
IXFN30N120P
$0 $/pedaço
FDA28N50F
FDA28N50F
$0 $/pedaço
NTB190N65S3HF
NTB190N65S3HF
$0 $/pedaço
R6020PNJFRATL
SCTH90N65G2V-7
STD5NM60-1
STD5NM60-1
$0 $/pedaço
IRF6619TR1PBF
NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7
$0 $/pedaço

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