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NTBS2D7N06M7

NTBS2D7N06M7

NTBS2D7N06M7

onsemi

POWER MOSFET, N-CHANNEL, STANDAR

não conforme

NTBS2D7N06M7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.41313 $1930.504
1,600 $2.25225 -
2,400 $2.13964 -
1611 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6655 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 176W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK-3 (TO-263-3)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

BUK9612-55B,118
NTD85N02R-1G
NTD85N02R-1G
$0 $/pedaço
IRFB7446PBF
C3M0015065D
C3M0015065D
$0 $/pedaço
STL12N65M2
STL12N65M2
$0 $/pedaço
SI3493BDV-T1-GE3
CPH3457-TL-H
CPH3457-TL-H
$0 $/pedaço

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