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BUK652R0-30C,127

BUK652R0-30C,127

BUK652R0-30C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

não conforme

BUK652R0-30C,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.24000 $1.24
500 $1.2276 $613.8
1000 $1.2152 $1215.2
1500 $1.2028 $1804.2
2000 $1.1904 $2380.8
2500 $1.178 $2945
3183 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 229 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14964 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 306W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STW70N60DM6-4
BUK9M6R6-30EX
BUK9M6R6-30EX
$0 $/pedaço
AUIRF7640S2TR
BSH105,215
BSH105,215
$0 $/pedaço
APT40N60JCU2
FQP27N25
FQP27N25
$0 $/pedaço
SUD19P06-60-E3
SUD19P06-60-E3
$0 $/pedaço
SI3437DV-T1-GE3

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