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PMZ200UNEYL

PMZ200UNEYL

PMZ200UNEYL

MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3

compliant

PMZ200UNEYL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.08100 -
30,000 $0.07657 -
50,000 $0.06903 -
100,000 $0.06770 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 950mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 2.7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 89 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-883
pacote / caixa SC-101, SOT-883
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Número da peça relacionada

IRFB7530PBF
NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWG
$0 $/pedaço
FDME905PT
FDME905PT
$0 $/pedaço
AUIRFR8405TRL
IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF
$0 $/pedaço
BUZ22E3045A
SI7110DN-T1-E3
SI7110DN-T1-E3
$0 $/pedaço
NTB22N06T4
NTB22N06T4
$0 $/pedaço

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