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PMXB360ENEAZ

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MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

compliant

PMXB360ENEAZ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.12708 -
10,000 $0.11993 -
25,000 $0.11135 -
50,000 $0.10777 -
8712 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.7V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 130 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN1010D-3
pacote / caixa 3-XDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

NVMFS5C410NLAFT3G
NVMFS5C410NLAFT3G
$0 $/pedaço
IRFR310TRLPBF
IRFR310TRLPBF
$0 $/pedaço
CSD25202W15T
CSD25202W15T
$0 $/pedaço
IPL60R180P6AUMA1
R6020FNX
R6020FNX
$0 $/pedaço
NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G
$0 $/pedaço
RMA4N60092
RMA4N60092
$0 $/pedaço
SQS484EN-T1_GE3

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